全国服务热线: 15771930850
企业新闻

三星西安厂启动新一代闪存基建推进286层工艺

发布时间:2026-06-01                返回列表
前言:三星电子在西安工厂完成128层至236层技术过渡后,正式启动下一代V-NAND基础设施建设,计划年内完成286层投资并于2027年实现量产。此举标志着全球存储巨头正从单纯扩产转向技术迭代,以应对中国厂商在300层以上领域的快速追赶及激烈的市场竞争。
三星西安厂启动新一代闪存基建推进286层工艺

全球存储芯片巨头正将战略重心从单纯的产能扩张转向制程工艺的精细化过渡。随着老旧产品的逐步淘汰和更先进NAND闪存技术的加速推出,行业格局正在发生深刻变化。据韩国《西萨日报》(Sisa Journal)报道,三星电子在西安工厂于3月底启动第8代V-NAND(V8)生产后,现已在同一厂区启动了新一代V-NAND的基础设施建设。

行业观察人士指出,随着三星完成从128层V6到236层V8 NAND的过渡性投资,西安工厂的V6 NAND生产已实质性进入收尾阶段。这一举措不仅体现了技术迭代的必然节奏,也反映了企业在面对市场波动时优化资产结构的决心。

加速布局286层,产能重心持续东移

在西安同一厂区,三星正稳步推进下一次升级。据《西萨日报》披露,该公司计划在今年内完成对286层NAND的投资,并推进量产准备工作。报道显示,全面产出目标定于2027年,在此期间,V8与新一代V-NAND预计将并行运行,以确保供应链的平稳过渡。

西安工厂依然是三星全球NAND生产的核心枢纽,其产量约占三星全球总产量的40%。尽管V-NAND升级仍处于准备阶段,但报告补充称,今年下半年的投资势头有望加速。这种“边产边建”的策略,旨在平衡短期市场供应与长期技术领先优势。

中韩博弈加剧,国产300层进程提速

在全球竞争加剧及三星持续进行NAND技术转型的背景下,《电子新闻》(ET News)报道指出,在中国政府政策支持和本土设备供应链完善的推动下,中国厂商正加速向300层NAND量产迈进,逐步缩小与韩国企业的技术差距。这一趋势对三星等韩系巨头构成了实质性挑战。

与此同时,关于V10 NAND的生产计划也备受关注。据《电子新闻》报道,尽管三星原计划于2026年上半年建立V10生产线并于下半年开始量产,但目前采购订单尚未出现显著增长,市场前景仍存不确定性。业内分析认为,这可能与当前市场需求的结构性变化及客户对新技术的观望态度有关。

从市场数据来看,存储行业正处于强劲复苏期。据集邦咨询(TrendForce)数据显示,第一季度全球五大NAND闪存供应商总收入环比激增83.7%,突破389亿美元,主要得益于云服务商(CSP)对企业级SSD需求的强劲拉动。其中,三星电子NAND收入达135.1亿美元,环比增长104.7%,增速位居五大厂商之首,市场份额从28%扩大至31.6%。紧随其后的是SK海力士和铠侠,全球市场份额分别为17.6%和13.9%。

面对中国厂商在高端制程上的快速崛起,三星等韩系企业必须通过持续的技术领先和产能优化来巩固地位。西安工厂的升级不仅是三星全球战略的一部分,也是中韩存储产业博弈的一个缩影。对于中国存储企业而言,这既是压力也是动力,需进一步突破核心设备与材料瓶颈,加速实现自主可控。

我们的其他新闻
推荐产品
信息搜索
 
生物工程新闻
西安泰玛生物工程有限公司
  • 地址:西安泰玛生物工程有限公司
  • 电话:02981110978
  • 邮件:linda@taimacn.com
  • 手机:15771930850
  • 传真:02981110978
  • 联系人:赵女士
新一代新闻
新一代相关搜索